Samsung 850 Pro, 512GB | MZ-7KE512BW

SSD disk Samsung 850 PRO, nástupce 840 PRO, je prvním úložištěm založeným na 3D VNAND flash paměti. Díky tomuto nabízí vyjímečný výkon čtení a zápisu (až 2x vyšší oproti bězným 2D flash), vysokou spolehlivost a excelentní řízení spotřeby energie. Záruka byla prodloužena na bezkonkurenčních 10let a samozřejmostí zůstává 256-bit šifrování a až 100K IOPS. Čtvrtá generace MEX řadiče zajišťuje až o 50% nižší spotřebu energie oproti pevným diskům. SSD disk řady 850 PRO je určen především náročným uživatelům, je ideální pro hraní her a práci s HD video soubory. 


 

---

Čo je architektúra V-NAND a čím sa líši od existujúcej technológie?



Pamäť flash od spoločnosti Samsung sa vyrába pomocou inovatívnej 3D architektúry V-NAND, ktorá využíva 32 vrstiev buniek nad sebou namiesto toho, aby sa pokúšala skrátiť dĺžku a šírku buniek a vtesnať ich do súčasných zmenšujúcich sa konštrukcií. Výsledkom je vyššia hustota a väčší výkon na menšej ploche a prelom v prekonávaní limitov hustoty bežnej planárnej architektúry NAND

 

---

Disk SSD, ktorý vás nikdy nepodrazí



Vďaka dvakrát dlhšej výdrži než predchádzajúci model* bude disk 850 PRO pracovať tak dlho ako vy. Technológia V-NAND od spoločnosti Samsung je navrhnutá tak, aby zvládla 150 zapísaných terabajtov (TBW), čo zodpovedá dennému pracovnému zaťaženiu pri čítaní a zápise 40 GB po dobu 10 rokov. Tento disk sa okrem toho dodáva s 10-ročnou obmedzenou zárukou, ktorá patrí k najdlhším vo svojej oblasti. *840 PRO: 73 TBW > 850 PRO: 150 TBW

 

---

Pracujte dlhšie vďaka inováciám zvyšujúcim účinnosť



Účinné súčasti na správu napájania disku 850 PRO vám umožňujú pracovať dlhšie a produktívnejšie. Disk 850 PRO, ktorý sa môže pochváliť najnižšou spotrebou pri plnom využití medzi všetkými diskami SSD, spotrebováva menej energie a zároveň si udržiava špičkový výkon. Disk 850 PRE plne podporuje spánkový režim v počítačoch Ultrabook™, v ktorom spotrebováva len 2 mW energie. Vyrovnávacia pamäť LPDDR2 okrem toho poskytuje vyšší výkon a zároveň má o 30% nižšiu spotrebu energie v aktívnom režime a o 93% nižšiu spotrebu energie pri nečinnosti ako bežné pamäte DDR2 alebo DDR3.